化合物半导体的沉积方法和装置

摘要

本发明提供一种化合物半导体的沉积方法，其在使三元以上的化合物半导体在基板上沉积时能够以纳米级调整其发射波长。本发明涉及一种使三元以上的化合物半导体在基板上沉积的化合物半导体的沉积方法，其中，在使化合物半导体向基板(13)上沉积的同时，对该基板(13)上照射比该化合物半导体所期望的理想的激发能量小的能量的传播光，使在基板(13)上沉积的化合物半导体的微粒产生基于上述照射的传播光的近场光，基于所产生的近场光，化合物半导体以多阶段形成新的振动能级，介由该新的振动能级之中具有传播光所具有的能量以下的激发能量的振动能级，利用该传播光使化合物半导体中与该激发能量对应的成分激发，使其脱离。

主权项

一种化合物半导体的沉积方法，其是使三元以上的化合物半导体在基板上沉积的化合物半导体的沉积方法，其特征在于，在使化合物半导体向基板上沉积的同时，对该基板上照射传播光，所述传播光的能量比由该化合物半导体的元素比例计算出的激发能量小，利用该传播光激发上述化合物半导体中与上述传播光所具有的能量以下的激发能量对应的成分，使其脱离。