发明名称 气体分配喷头及清洁方法
摘要 沉积工艺期间,材料不仅可能沉积在基材上,而且也可能沉积在其他腔室部件上。在MOCVD腔室中,一种所述这样的部件为气体分配喷头。可透过以由包括惰气与氯气的等离子体所生成的自由基轰击所述喷头而清洁的。为了生成等离子体,喷头可受负偏压或者相对基材支撑件浮接。喷头可包含不锈钢且以陶瓷涂层涂布。
申请公布号 CN102414799A 申请公布日期 2012.04.11
申请号 CN201080019536.8 申请日期 2010.08.27
申请人 应用材料公司 发明人 H·哈那瓦;K·J·芒;H·钟
分类号 H01L21/205(2006.01)I;H01L21/302(2006.01)I 主分类号 H01L21/205(2006.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 陆勍;钱孟清
主权项 一种装置,包含:腔室主体;基材支撑件基座,设置于所述腔室主体内;多个加热灯,设置在所述腔室主体外侧并且定位在所述基材支撑件下方;气体分配喷头,与所述腔室主体电绝缘,并且设置在所述基材支撑件基座对面,所述气体分配喷头具有喷头主体,所述喷头主体包含具有陶瓷涂层的不锈钢且面向所述基材支撑件,所述喷头主体具有延伸穿过所述喷头主体的多个第一气体通道以及多个第二气体通道;电源,耦接所述基材支撑件及所述喷头主体的一个或多个;第一气体供应源,耦接所述喷头主体以传递气体通过所述多个第一气体通道;以及第二气体供应源,耦接所述喷头主体以传递气体通过所述多个第二气体通道。
地址 美国加利福尼亚州