| 发明名称 | 具有金属前介质填充结构的半导体器件及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种具有金属前介质填充结构的半导体器件及其制备方法。所述半导体器件包括衬底、形成于所述衬底内的沟槽隔离结构以及形成于所述衬底表面的多晶硅栅极层，所述多晶硅栅极层在所述沟槽隔离结构的位置处形成凹槽。本发明的具有金属前介质填充结构的半导体器件减小了相邻两个栅极之间的间隙的高宽比，当金属前介质填充在所述间隙中时，不容易产生空洞，避免了在后续钨塞工艺中，金属钨进入空洞而导致得相邻栅极之间导通的问题，有利于良率的提高。 | ||
| 申请公布号 | CN102412263A | 申请公布日期 | 2012.04.11 |
| 申请号 | CN201110274490.0 | 申请日期 | 2011.09.15 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 郑春生;张文广;徐强;陈玉文 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L27/11(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L21/8244(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 陆花 |
| 主权项 | 一种具有金属前介质填充结构的半导体器件，包括衬底、形成于所述衬底内的沟槽隔离结构以及形成于所述衬底表面的多晶硅栅极层，其特征在于，所述多晶硅栅极层在所述沟槽隔离结构的位置处形成凹槽。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号 | ||