发明名称 直流离子阱
摘要 直流离子阱,涉及气态离子存储装置。设有前电极、外筒、后电极和中心电极;前电极、后电极和中心电极之间使用绝缘件连接;由前电极、外筒和后电极构成离子阱存储腔体的外壁,在前电极、外筒和后电极上分别施加正电压,在中心电极上施加负电压,使离子阱内形成凹形的电势场。无需使用射频电源,整体结构简单;离子存储量将由各电极的电位差和阱的尺寸大小来共同决定;通过加入合适的背景气体就能实现碰撞冷却或是动态反应装置,功能被大大加强;理论上适用于所有质量范围的离子的存储;具备了能量过滤功能;通过电极电位的控制能引导离子引出的流向。
申请公布号 CN102412110A 申请公布日期 2012.04.11
申请号 CN201110304940.6 申请日期 2011.09.28
申请人 厦门大学 发明人 杭纬
分类号 H01J49/42(2006.01)I;H01J49/02(2006.01)I 主分类号 H01J49/42(2006.01)I
代理机构 厦门南强之路专利事务所 35200 代理人 马应森
主权项 直流离子阱,其特征在于设有前电极、外筒、后电极和中心电极;前电极、后电极和中心电极之间使用绝缘件连接;由前电极、外筒和后电极构成离子阱存储腔体的外壁,在前电极、外筒和后电极上分别施加正电压,在中心电极上施加负电压,使离子阱内形成凹形的电势场。
地址 361005 福建省厦门市思明南路422号