发明名称 |
直流离子阱 |
摘要 |
直流离子阱,涉及气态离子存储装置。设有前电极、外筒、后电极和中心电极;前电极、后电极和中心电极之间使用绝缘件连接;由前电极、外筒和后电极构成离子阱存储腔体的外壁,在前电极、外筒和后电极上分别施加正电压,在中心电极上施加负电压,使离子阱内形成凹形的电势场。无需使用射频电源,整体结构简单;离子存储量将由各电极的电位差和阱的尺寸大小来共同决定;通过加入合适的背景气体就能实现碰撞冷却或是动态反应装置,功能被大大加强;理论上适用于所有质量范围的离子的存储;具备了能量过滤功能;通过电极电位的控制能引导离子引出的流向。 |
申请公布号 |
CN102412110A |
申请公布日期 |
2012.04.11 |
申请号 |
CN201110304940.6 |
申请日期 |
2011.09.28 |
申请人 |
厦门大学 |
发明人 |
杭纬 |
分类号 |
H01J49/42(2006.01)I;H01J49/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01J49/42(2006.01)I |
代理机构 |
厦门南强之路专利事务所 35200 |
代理人 |
马应森 |
主权项 |
直流离子阱,其特征在于设有前电极、外筒、后电极和中心电极;前电极、后电极和中心电极之间使用绝缘件连接;由前电极、外筒和后电极构成离子阱存储腔体的外壁,在前电极、外筒和后电极上分别施加正电压,在中心电极上施加负电压,使离子阱内形成凹形的电势场。 |
地址 |
361005 福建省厦门市思明南路422号 |