切割模片接合膜和生产半导体器件的工艺

摘要

本发明涉及切割模片接合膜和生产半导体器件的工艺。本发明涉及一种切割模片接合膜，其包括具有在基材上设置的压敏粘合剂层的切割膜；和在压敏粘合剂层上设置的模片接合膜，其中，所述切割膜的压敏粘合剂层具有包含发泡剂的热膨胀性压敏粘合剂层和活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂层的层压结构，其依次层压在所述基材上，和其中模片接合膜由包含环氧树脂的树脂组合物构成。另外，本发明提供一种生产半导体器件的方法，包括采用上述切割模片接合膜。

主权项

一种切割模片接合膜，其包括具有在基材上设置的压敏粘合剂层的切割膜；和在所述压敏粘合剂层上设置的模片接合膜，其中，所述切割膜的压敏粘合剂层具有包含发泡剂的热膨胀性压敏粘合剂层和活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂层的层压结构，所述热膨胀性压敏粘合剂层和所述活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂层依次层压在所述基材上，和其中所述模片接合膜由包含环氧树脂的树脂组合物构成，其中所述切割膜的活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂层由包含丙烯酸类聚合物B的活性能量射线固化型压敏粘合剂形成，所述丙烯酸类聚合物B为具有以下构成的丙烯酸类聚合物：由包含50重量％以上的由CH2＝CHCOOR表示的丙烯酸酯，和10重量％至30重量％的含羟基单体且不包括含羧基单体的单体组合物构成的聚合物与基于所述含羟基单体为50mol％至95mol％量的具有自由基反应性碳‑碳双键的异氰酸酯化合物进行加成反应，其中R为具有6‑10个碳原子的烷基；和其中，所述切割膜的活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂层在通过活性能量射线照射而固化后具有90重量％以上的凝胶分数。