发明名称 |
一种用于氧化钛薄膜化学机械平坦化的纳米抛光液及应用 |
摘要 |
一种用于氧化钛薄膜化学机械平坦化的纳米抛光液,由纳米研磨料、pH调节剂、表面活性剂、消泡剂、杀菌剂、助清洗剂和溶剂混合组成,其中纳米研磨料为氧化铈或二氧化硅,pH调节剂由无机pH调节剂和有机pH调节剂组成复合pH调节剂,表面活性剂为硅烷聚二乙醇醚、聚二乙醇醚或十二烷基乙二醇醚,消泡剂为聚二甲基硅烷,杀菌剂为异构噻唑啉酮,助清洗剂为异丙醇,溶剂为去离子水;该纳米抛光液用于基于氧化钛薄膜材料的阻变存储器的制备。本发明的优点:抛光速率稳定可控、薄膜表面损伤少、易清洗、不污染环境、储存时间长。用该抛光液对阻变材料氧化钛薄膜材料进行化学机械平坦化来制备阻变存储器,方法简单易行且与集成电路工艺完全兼容。 |
申请公布号 |
CN102408836A |
申请公布日期 |
2012.04.11 |
申请号 |
CN201110320295.7 |
申请日期 |
2011.10.20 |
申请人 |
天津理工大学 |
发明人 |
张楷亮;张涛峰;王芳;任君;尹立国;王兰兰;朱宇清 |
分类号 |
C09G1/02(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I |
主分类号 |
C09G1/02(2006.01)I |
代理机构 |
天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 |
代理人 |
侯力 |
主权项 |
一种用于氧化钛薄膜化学机械平坦化的纳米抛光液,其特征在于:由纳米研磨料、pH调节剂、表面活性剂、消泡剂、杀菌剂、助清洗剂和溶剂混合组成,各组分的重量百分比是:纳米研磨料为1.0‑30.0wt%、pH调节剂加入量是使纳米抛光液pH值为3~12、表面活性剂为0.01‑1.0wt%、消泡剂为20‑200ppm、杀菌剂为10‑50ppm、助清洗剂为0.01‑0.1wt%、余量为溶剂。 |
地址 |
300384 天津市南开区红旗南路延长线天津理工大学主校区 |