HVPE前驱物源硬件

摘要

本发明揭露的实施例大致关于HVPE腔室。腔室可具有与该腔室耦接的两个分离的前驱物源以便沉积两个分离的层。举例而言，镓源与分离的铝源可耦接至处理腔室以便在相同处理腔室中分别地沉积氮化镓与氮化铝于基板上。可在较低温度下在与镓及铝分离的位置处将氮导入处理腔室。不同温度造成气体混合在一起、反应且沉积于基板上，且极少或没有沉积于腔室壁上。

主权项

一种设备，包括：真空腔室主体；第一前驱物源，配置于所述真空腔室主体附近且耦接至所述真空腔室主体，所述第一前驱物源包括：第一前驱物源主体；第一支撑衬里，配置于所述第一前驱物源主体中；漂浮衬里，耦接至所述第一支撑衬里且配置于所述第一前驱物源主体中；及漂浮件，配置于所述第一前驱物源主体中，且可从第一位置移动至第二位置，所述第一位置与所述漂浮衬里间隔第一距离而所述第二位置与所述漂浮衬里间隔第二距离，所述第一距离大于所述第二距离；及第二前驱物源，配置于所述真空腔室主体附近且耦接至所述真空腔室主体，所述第二前驱物源与所述第一前驱物源分隔。