实现超导电性和超导热性的方法

摘要

本申请涉及材料的电学、电物理和导热，涉及材料在接近室温和更高温度的零电阻现象也就是超导电和零热阻也就是超导热。内容是：在非简并或弱简并的半导体材料在半绝缘或电介质的衬底上的这样的材料层的表面上或体内设置电极以形成到材料的整流接触。电极之间的距离(D)被选择为远小于由它们的接触电势差引起的电场穿透到材料中的深度(L)(D＜＜L)。电极之间的最小距离DMIN＝20纳米，电极之间的最大距离DMAX＝30微米。在电极之间形成具有宽度D的间隙之前、之后或期间，电子振动中心(EVC)被输入到材料中，且具有从2·1012cm-3到6·1017cm-3的浓度(N)。使材料的温度到超导电转变温度(Th)或更高。技术结果：可以在高于Th的温度实现超导电(超导)和零热阻也就是超导热的所述效果以及可以调整Th的值。

主权项

一种用于在电极之间的材料中实现超导电性和超导热性的方法，该材料包括具有特定化学成分的凝聚材料，对该材料的技术处理，以及形成到该材料的电接触的电极，该方法特征在于：任何非简并或弱简并的半导体被用作所述材料；在所述材料的表面上或体内设置所述电极以形成到所述材料的整流接触，例如金属‑半导体接触，肖特基结；所述电极之间的距离(D)被选择为远小于由接触电势差引起的电场穿透到所述材料中的长度(L)(D＜＜L)并且不超过两倍的相干长度(2Λ)(D≤2Λ)；所述电极之间的最小距离DMIN＝10纳米，所述电极之间的最大距离DMAX＝30微米；在形成所述电极之前、之后或期间，电子振动中心(EVC)被输入到该材料中并具有从Nmin＝2·1012cm‑3到Nmax＝6·1017cm‑3的浓度(N)；所述材料被加热至超过超导电转变温度(Th)的温度。