发明名称 |
用激光能照射半导体材料表面的方法和设备 |
摘要 |
本发明涉及照射半导体材料的方法,其包括:选择半导体材料层表面的区域(a),此区域(a)具有区域尺寸;用具有束光斑尺寸(b)的准分子激光器照射半导体材料层表面的区域(a);并且调节此束光斑尺寸(b);其中调节束光斑尺寸(b)包括使束光斑尺寸(b)可变地匹配选择区域的尺寸(a)。本发明还涉及照射半导体材料的设备,包括:准分子激光器,用于照射半导体层表面的选择区域(a);此激光器具有针对具有区域尺寸的选择区域(a)的激光束光斑尺寸(b);和用于调节激光束光斑尺寸的装置;其中用于调节激光束光斑尺寸(b)的装置适用于使激光束光斑尺寸(b)可变地匹配选择区域的尺寸(a)。 |
申请公布号 |
CN102413986A |
申请公布日期 |
2012.04.11 |
申请号 |
CN201080018227.9 |
申请日期 |
2010.03.29 |
申请人 |
爱克西可法国公司 |
发明人 |
茱利安·温特维尼;布鲁诺·戈达德;西里尔·迪唐;马克·布基亚 |
分类号 |
B23K26/04(2006.01)I;B23K26/073(2006.01)I;B23K26/08(2006.01)I;B23K26/40(2006.01)I;B23K26/00(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;B23K101/40(2006.01)I |
主分类号 |
B23K26/04(2006.01)I |
代理机构 |
北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 |
代理人 |
周靖;郑霞 |
主权项 |
一种照射半导体材料的方法,包括:‑选择半导体材料层表面的区域,所述区域具有区域尺寸;‑用具有束光斑尺寸的准分子激光器照射所述半导体材料层表面的所述区域;‑并且调节所述束光斑尺寸;其特征在于,调节所述束光斑尺寸包括使所述束光斑尺寸可变地匹配所选择的区域的尺寸。 |
地址 |
法国热讷维耶 |