| 发明名称 | 一种无光阻中毒碳化硅的前处理方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种无光阻中毒碳化硅的前处理方法，其中，在低介电常数薄膜中形成后道互连金属铜，暴露在低介电常数薄膜之外的金属铜的表面形成氧化铜的情况下，在淀积金属阻挡介质层覆盖低介电常数薄膜和金属铜之前，采用碳氢化合物气体对铜表面的氧化铜进行前处理，而后再淀积所述金属阻挡介质层。所述碳氢化合物为甲烷，所述金属阻挡介质层为碳化硅。本发明降低了光阻中毒的风险，从而提高互连关键尺寸的一致性。 | ||
| 申请公布号 | CN102412190A | 申请公布日期 | 2012.04.11 |
| 申请号 | CN201110123700.6 | 申请日期 | 2011.05.13 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 徐强;张文广;郑春生;陈玉文 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/321(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人 | 王敏杰 |
| 主权项 | 一种无光阻中毒碳化硅的前处理方法，其特征在于，在低介电常数薄膜中形成后道互连金属铜，暴露在低介电常数薄膜之外的金属铜的表面形成氧化铜的情况下，在淀积金属阻挡介质层覆盖低介电常数薄膜和金属铜之前，采用碳氢化合物气体对铜表面的氧化铜进行前处理，而后再淀积所述金属阻挡介质层。 | ||
| 地址 | 201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 | ||