| 发明名称 | 等离子体设备腔室维护前预处理的方法 | ||
| 摘要 | 等离子体设备腔室维护前预处理的方法，包括：对所述等离子体设备腔室内壁执行等离子体处理，以消耗吸附于腔室内壁的工艺气体，并将生成副产物气体排出腔室；用氮气或惰性气体对所述腔室执行充抽处理；其中，所述充抽处理在所述等离子体处理之前或之后执行。本发明的方法可减小等离子体设备腔室维护前预处理的时间。 | ||
| 申请公布号 | CN101476114B | 申请公布日期 | 2012.04.11 |
| 申请号 | CN200910077872.7 | 申请日期 | 2009.01.23 |
| 申请人 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 发明人 | 荣延栋 |
| 分类号 | C23C16/44(2006.01)I;C23C16/50(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/44(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 等离子体设备腔室维护前预处理的方法，其特征在于，包括：对所述等离子体设备腔室内壁执行等离子体处理，以消耗吸附于腔室内壁的有毒的或者在常温常压下为易燃易爆的工艺气体，并将生成副产物气体排出腔室；用氮气或惰性气体对所述腔室执行充抽处理；其中，所述充抽处理在所述等离子体处理之前或之后执行；所述工艺气体包括SiH4，所述等离子体为含氮气体的等离子体。 | ||
| 地址 | 100016 北京市朝阳区酒仙桥东路1号M5楼北方微电子 | ||