发明名称 |
压电晶体元件 |
摘要 |
本发明涉及一种压电晶体元件,属于晶体元件领域。本发明的压电晶体元件包括压电晶体材料(1),电极层(2),引线(3)。所述的压电晶体材料,其化学式为A3+xB1+yAl3+zSi2+mO14+n,其中,-0.2≤x≤0.2,-0.2≤y≤0.2,-0.2≤z≤0.2,-0.2≤m≤0.2,-1.4≤n≤1.4,A为Ca、Sr或者两者的组合,B为Ta、Nb或Sb三种元素中的一种,也可以是三种元素中的几种元素的组合。本发明的压电晶体元件最高使用温度可达1000℃,具有大的高温电阻率、大的压电系数、高的机电耦合系数、室温至熔点没有相变、价格便宜等特性。 |
申请公布号 |
CN101834268B |
申请公布日期 |
2012.04.11 |
申请号 |
CN200910047335.8 |
申请日期 |
2009.03.10 |
申请人 |
上海硅酸盐研究所中试基地;中国科学院上海硅酸盐研究所 |
发明人 |
郑燕青;孔海宽;涂小牛;陈辉;施尔畏 |
分类号 |
H01L41/08(2006.01)I;H01L41/18(2006.01)I;H01L41/22(2006.01)I |
主分类号 |
H01L41/08(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
压电晶体元件,其特征在于,包括:压电晶体材料(1),电极层(2),引线(3);所述的压电晶体材料,其化学式为A3+xB1+yAl3+zSi2+m014+n,其中:‑0.2≤x≤0.2,‑0.2≤y≤0.2,‑0.2≤z≤0.2,‑0.2≤m≤0.2,‑1.4≤n≤1.4;A为Ca或Sr或者两者的组合;B为Ta、Nb或Sb三种元素中的一种或几种元素的组合;所述的压电晶体材料,选用X切,Y切,Z切,或者其他旋转切型。 |
地址 |
201800 上海市嘉定区城北路215号 |