半导体发光元件制造方法与半导体发光元件

摘要

本发明提出一种半导体发光元件制造方法与半导体发光元件，上述元件包括磊晶结构、第一电极、功能结构以及第一开口构造，上述方法包括提供基板；在基板上形成磊晶结构，磊晶结构包括第一型掺杂层、发光区以及第二型掺杂层，该磊晶结构通过第一表面接触该基板；进行电极形成步骤，以在第一型掺杂层的第二表面上形成第一电极；进行功能结构形成步骤，通过原位形成方法在第一电极的上方形成功能结构；进行移除步骤，移除基板而露出磊晶结构，以形成暴露的磊晶结构；以及对于该暴露的磊晶结构进行蚀刻步骤，以便于进一步暴露出第一电极的至少部分表面。采用本发明半导体发光元件制造方法与半导体发光元件，可有效简化现有技术手段过于复杂的制程步骤。

主权项

一种半导体发光元件制造方法，其特征是，所述半导体发光元件制造方法包括：提供基板；在所述基板上形成至少一组磊晶结构，所述磊晶结构包括第一型掺杂层、发光区以及第二型掺杂层，所述磊晶结构通过其第一表面接触该基板；进行电极形成步骤，以在所述第一型掺杂层的第二表面上形成第一电极；进行功能结构形成步骤，通过原位形成方法在所述第一电极的上方形成功能结构；进行移除步骤，移除所述基板而暴露出所述磊晶结构，以形成暴露的磊晶结构；以及对于所述暴露的磊晶结构进行蚀刻步骤，以便于进一步暴露出所述第一电极的至少部分表面。