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一种硅通孔的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、在硅片上淀积一层金属前介质层，利用光刻定义出硅通孔区域，依次刻蚀所述硅通孔区域的所述金属前介质层和所述硅片并形成深沟槽或孔；步骤二、在所述深沟槽或孔侧壁和底部淀积一层氧化层；该氧化层的淀积工艺采用LPCVD TEOS或SACVD TEOS；步骤三、在形成有所述氧化层的所述深沟槽或孔侧壁和底部中淀积一层钛和氮化钛；所述钛和氮化钛同时也淀积到所述深沟槽或孔外部的表面区域；步骤四、在所述钛和氮化钛上淀积第一层钨，所述第一层钨不将所述深沟槽或孔填满；步骤五、对所述第一层钨进行回刻；步骤六、在形成有所述第一层钨的所述深沟槽或孔侧壁和底部中淀积第二层钨，所述第二层钨将所述深沟槽或孔填满或不填满；所述第二层钨同时也淀积到所述深沟槽或孔外部的表面区域；步骤七、对由所述第一层钨和所述第二层钨组成的钨层进行回刻或化学机械研磨；步骤八、当所述第二层钨未将所述深沟槽或孔填满时，重复步骤六和步骤七，直至所述深沟槽或孔被填满；步骤九、制作所述硅片的正面金属互连线及正面后段工艺；步骤十、对所述硅片的背面进行减薄，从所述深沟槽或孔的底部将填 充于所述深沟槽或孔中的所述钛和氮化钛、所述第一层钨和所述第二层钨露出；步骤十一、从所述硅片的背面进行金属淀积并制作背面金属图形。 |
