| 发明名称 | 一种TFT移位寄存器电路 | ||
| 摘要 | 本实用新型提供一种TFT移位寄存器电路，包括5个P型晶体管，分别为晶体管P2、P5、P6、P7、P8，其中P6、P7为共源结构，P6、P7的源极均接至VDD，P6的栅极接至P7的漏极，并与P8的源极相接，P7的栅极接至P6的源极并与P5的源极相接，P5的栅极接至P2的漏极，P8的栅极与P2的栅极接至时钟信号CLK1，P5的漏极与时钟信号CLK2相连接。 | ||
| 申请公布号 | CN202189559U | 申请公布日期 | 2012.04.11 |
| 申请号 | CN201120247352.9 | 申请日期 | 2011.07.13 |
| 申请人 | 广东中显科技有限公司 | 发明人 | 孙鹏飞;郭海成;凌代年;邱成峰;贾洪亮;蒲卫国;黄飚 |
| 分类号 | G11C19/28(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I | 主分类号 | G11C19/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京瑞恒信达知识产权代理事务所(普通合伙) 11382 | 代理人 | 曹津燕 |
| 主权项 | 一种TFT移位寄存器电路，包括5个P型晶体管，分别为第一晶体管(P2)、第二晶体管(P5)、第三晶体管(P6)、第四晶体管(P7)和第五晶体管(P8)，其中第三晶体管(P6)和第四晶体管(P7)为共源结构，第三晶体管(P6)和第四晶体管(P7)的源极均接至VDD，第三晶体管(P6)的栅极接至第四晶体管(P7)的漏极，并与第五晶体管(P8)的源极相接，第四晶体管(P7)的栅极接至第三晶体管(P6)的源极并与第二晶体管(P5)的源极相接，第二晶体管(P5)的栅极接至第一晶体管(P2)的漏极，第五晶体管(P8)的栅极与第一晶体管(P2)的栅极接至第一时钟信号(CLK1)，第二晶体管(P5)的漏极与第二时钟信号(CLK2)相连接；所述的TFT移位寄存器电路，用作移位寄存器的一个单元；P型晶体管为PMOS薄膜晶体管。 | ||
| 地址 | 528225 广东省佛山市南海区狮山工业园北园中路11号 | ||