发明名称 |
无铅半导体封装件 |
摘要 |
一种封装件基片(package substrate)包含芯片焊垫(die solder pad)以及管脚填锡(pin solder fillet)。管脚填锡可包括约90wt%至约99wt%之间的锡以及约10wt%至1wt%的锑。芯片焊垫可包括约4wt%至约8wt%之间的铋、约2wt%至约4wt%的银、约0wt%至约0.7wt%的铜、以及约87wt%至约92wt%的锡。芯片焊垫可包括约7wt%至约20wt%之间的铟、约2wt%至约4.5wt%之间的银、约0wt%至约0.7wt%之间的铜、约0wt%至约0.5wt%之间的锑、以及约74.3wt%至约90wt%之间的锡。 |
申请公布号 |
CN101208790B |
申请公布日期 |
2012.04.11 |
申请号 |
CN200680023364.5 |
申请日期 |
2006.04.19 |
申请人 |
先进微装置公司 |
发明人 |
R·N·马斯特;S·A·安纳德;S·帕塔萨拉蒂;Y·C·美 |
分类号 |
H01L21/60(2006.01)I;H01L23/498(2006.01)I;B23K35/26(2006.01)I;C22C13/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/60(2006.01)I |
代理机构 |
北京戈程知识产权代理有限公司 11314 |
代理人 |
程伟;王锦阳 |
主权项 |
一种封装件基片(4),具有芯片面与管脚面、位于上述芯片面上的多个无铅芯片焊垫(3)、以及位于上述管脚面上的多个无铅管脚填锡(5);上述多个无铅芯片焊垫(3)具有芯片焊垫回焊温度且上述多个无铅管脚填锡(5)具有管脚填锡回焊温度,其中上述芯片焊垫回焊温度低于上述管脚填锡回焊温度,且其中上述管脚填锡回焊温度低于上述封装件基片(4)的分解温度;上述多个无铅芯片焊垫(3)包括5wt%至8wt%之间且不等于5wt%的铋、2wt%至4wt%的银以及87wt%至92wt%的锡,其中,上述无铅芯片焊垫回焊温度在170℃和225℃之间。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |