发明名称 |
电子可擦除可编程只读存储器单元 |
摘要 |
本发明涉及一种电子可擦除可编程只读存储器单元,本发明是揭露一种形成器件的方法。该方法包括提供一衬底,其预备有一单元面积,且形成第一及第二晶体管的第一及第二栅极于该单元面积中。该第一栅极包括围绕第一子栅极的第二子栅极。该第一栅极的第一及第二子栅极是通过第一栅极间介电层分隔。该第二栅极包括围绕第一子栅极的第二子栅极。该第二栅极的第一及第二子栅极是通过第二栅极间介电层分隔。该方法亦包括形成该第一及该第二晶体管的第一及第二接面。该方法亦包括形成第一栅极终端及形成第二栅极终端,该第一栅极终端是耦合至该第一晶体管的该第二子栅极,而该第二栅极终端是耦合至该第二晶体管的至少该第一子栅极。 |
申请公布号 |
CN102412207A |
申请公布日期 |
2012.04.11 |
申请号 |
CN201110291093.4 |
申请日期 |
2011.09.23 |
申请人 |
新加坡商格罗方德半导体私人有限公司 |
发明人 |
郑盛文;林建锋;杨剑波;胡瑞德;S·许 |
分类号 |
H01L21/8247(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I;G11C16/04(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/8247(2006.01)I |
代理机构 |
北京戈程知识产权代理有限公司 11314 |
代理人 |
程伟;王锦阳 |
主权项 |
一种形成器件的方法,包含:提供一衬底,其预备有一单元面积;在该单元面积中形成第一及第二晶体管的第一及第二栅极,其中,该第一栅极包括围绕第一子栅极的第二子栅极,该第一栅极的该第一及该第二子栅极是通过第一栅极间介电层分隔;以及该第二栅极包括围绕第一子栅极的第二子栅极,该第二栅极的该第一及该第二子栅极是通过第二栅极间介电层分隔;形成该第一及该第二晶体管的第一及第二接面;形成耦合至该第一晶体管的该第二子栅极的第一栅极终端;以及形成耦合至该第二晶体管的至少该第一子栅极的第二栅极终端。 |
地址 |
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