发明名称 电子可擦除可编程只读存储器单元
摘要 本发明涉及一种电子可擦除可编程只读存储器单元,本发明是揭露一种形成器件的方法。该方法包括提供一衬底,其预备有一单元面积,且形成第一及第二晶体管的第一及第二栅极于该单元面积中。该第一栅极包括围绕第一子栅极的第二子栅极。该第一栅极的第一及第二子栅极是通过第一栅极间介电层分隔。该第二栅极包括围绕第一子栅极的第二子栅极。该第二栅极的第一及第二子栅极是通过第二栅极间介电层分隔。该方法亦包括形成该第一及该第二晶体管的第一及第二接面。该方法亦包括形成第一栅极终端及形成第二栅极终端,该第一栅极终端是耦合至该第一晶体管的该第二子栅极,而该第二栅极终端是耦合至该第二晶体管的至少该第一子栅极。
申请公布号 CN102412207A 申请公布日期 2012.04.11
申请号 CN201110291093.4 申请日期 2011.09.23
申请人 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司 发明人 郑盛文;林建锋;杨剑波;胡瑞德;S·许
分类号 H01L21/8247(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I;G11C16/04(2006.01)I 主分类号 H01L21/8247(2006.01)I
代理机构 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 代理人 程伟;王锦阳
主权项 一种形成器件的方法,包含:提供一衬底,其预备有一单元面积;在该单元面积中形成第一及第二晶体管的第一及第二栅极,其中,该第一栅极包括围绕第一子栅极的第二子栅极,该第一栅极的该第一及该第二子栅极是通过第一栅极间介电层分隔;以及该第二栅极包括围绕第一子栅极的第二子栅极,该第二栅极的该第一及该第二子栅极是通过第二栅极间介电层分隔;形成该第一及该第二晶体管的第一及第二接面;形成耦合至该第一晶体管的该第二子栅极的第一栅极终端;以及形成耦合至该第二晶体管的至少该第一子栅极的第二栅极终端。
地址 新加坡新加坡城