浮体效应存储器件用SOI硅片及制造方法、存储器件

摘要

本发明的目的在于提供一种浮体效应存储器件用SOI硅片及其制造方法，通过使用该SOI硅片，能够加长浮体效应存储器件中电子在衬底的保持时间并提高数据保持性能。一种浮体效应存储器件的制造方法，包括：第一步骤，对硅片进行氧离子注入，以将所述硅片分为底层硅、硅的氧化物沉淀层、衬底，第二步骤，在氧+氮气氛环境下对所述硅片进行超高温退火，以形成掺杂有氮离子的氧埋层。在氧埋层与衬底的界面之间形成更多的界面悬挂键，从而可以更有效的俘获电子，使得PMOS结构的浮体效应存储器器件的数据保持性能得到提高。

主权项

一种浮体效应存储器件用SOI硅片，其特征在于，包括：底层硅，氧埋层，其形成在所述底层硅上，并且掺杂有氮离子，衬底，其形成在所述氧埋层上；在所述氧埋层中，在所述氧埋层与所述衬底的界面附近具有由氮离子形成的悬挂键。