发明名称 功率放大器
摘要 本发明公开了即使在主放大器和峰值放大器中使用的高频器件的相位特性不同的情况下,也在大范围的输出电平下降低两个放大器的合成损耗,并且高效率的功率放大器。使用LDMOS器件的AB级功率放大器(103)将分配后的输入信号放大,使用GaN器件的AB级功率放大器(104)将从功率放大器(103)输出的信号放大。此外,使用GaN器件的C级功率放大器(107)将延迟了λ/4的输入信号放大,使用LDMOS器件的C级功率放大器(108)将从功率放大器(107)输出的信号放大。合成电路(109)将通过功率放大器(104)放大且通过阻抗转换电路(105)进行了阻抗转换的信号和通过功率放大器(108)放大了的信号进行合成。
申请公布号 CN102414982A 申请公布日期 2012.04.11
申请号 CN201080018509.9 申请日期 2010.02.01
申请人 松下电器产业株式会社 发明人 内山和弘
分类号 H03F1/07(2006.01)I;H03F3/24(2006.01)I;H03F3/68(2006.01)I;H04B1/04(2006.01)I 主分类号 H03F1/07(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 邸万奎
主权项 功率放大器,包括:分配单元,其分配输入信号;第1放大单元,其将饱和区域中的相位特性的斜率为相反方向的两个高频器件串联连接,并将分配后的所述输入信号的一方放大;移相单元,其使分配后的所述输入信号的另一方的相位延迟λ/4;第2放大单元,其将与用于所述第1放大单元的2个高频器件为相同构造的2个高频器件以与所述第1放大单元相反的顺序串联连接,并通过比所述第1放大单元低的动作点放大其相位被延迟了λ/4的所述输入信号;转换单元,其将通过所述第1放大单元放大了的信号的阻抗进行转换;以及合成单元,其将阻抗被转换的所述信号和通过所述第2放大单元放大了的信号进行合成。
地址 日本大阪府