Cu配线的形成方法

摘要

一种实施有伴随500℃以上的温度的处理的后续工序的Cu配线的形成方法，其具有：在表面具有沟槽和/或孔的基板上的至少沟槽和/或孔的底面和侧面，形成由具有与Cu的晶格面间距的差为10％以内的晶格面间距的金属构成的密接膜的工序；在密接膜上以填埋沟槽和/或孔的方式形成Cu膜的工序；在Cu膜形成后的基板进行350℃以上的退火处理的工序；研磨Cu膜仅使Cu膜的对应于沟槽和/或孔的部分残留的工序；和在研磨后的Cu膜形成盖而成为Cu配线的工序。

主权项

一种Cu配线的形成方法，其实施伴随500℃以上的温度的处理的后续工序，所述Cu配线的形成方法的特征在于，包括：在表面具有沟槽和/或孔的基板上的至少所述沟槽和/或孔的底面和侧面形成密接膜，其中，该密接膜包括具有与Cu的晶格面间距的差为10％以内的晶格面间距的金属；在所述密接膜上以填埋所述沟槽和/或孔的方式形成Cu膜；在所述Cu膜形成后的基板进行350℃以上的退火处理；研磨所述Cu膜，仅残留所述Cu膜的对应于所述沟槽和/或孔的部分；和在研磨后的Cu膜形成盖而成为Cu配线。