| 发明名称 | 一种半导体致冷器件 | ||
| 摘要 | 一种半导体致冷器件，包括若干金属导体、N型半导体晶体、P型半导体晶体和两块陶瓷绝缘板，金属导体间隔固定于第一陶瓷绝缘板下侧和第二陶瓷绝缘板上侧，N型半导体晶体和P型半导体晶体设于第一陶瓷绝缘板和第二陶瓷绝缘板之间且通过金属导体串接，N型半导体晶体成分重量份数为：四碘化碲1～1.5、硒30～33、碲670～680、铋790～800，所述的P型半导体晶体成分重量份数为：硒11.5～12.5、铋180～190、锑320～330、碲680～690。本发明的有益效果在于：在N型半导体晶体中加入了四碘化碲，使N型半导体晶体在潮解空气中稳定，从而使整个半导体致冷器件的性能更加稳定，致冷效果更好。 | ||
| 申请公布号 | CN102410657A | 申请公布日期 | 2012.04.11 |
| 申请号 | CN201110333136.0 | 申请日期 | 2011.10.28 |
| 申请人 | 杭州澳凌制冷设备有限公司 | 发明人 | 陈国华 |
| 分类号 | F25B21/02(2006.01)I | 主分类号 | F25B21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 杭州赛科专利代理事务所 33230 | 代理人 | 陈辉 |
| 主权项 | 一种半导体致冷器件，包括若干金属导体、N型半导体晶体、P型半导体晶体、第一陶瓷绝缘板和第二陶瓷绝缘板，所述的金属导体间隔固定于第一陶瓷绝缘板下侧和第二陶瓷绝缘板上侧，N型半导体晶体和P型半导体晶体设于第一陶瓷绝缘板和第二陶瓷绝缘板之间且通过金属导体串接，其特征在于：所述的N型半导体晶体成分为（重量份）：四碘化碲1～1.5、硒30～33、碲670～680、铋790～800，所述的P型半导体晶体成分为（重量份）：硒11.5～12.5、铋180～190、锑320～330、碲680～690。 | ||
| 地址 | 310015 浙江省杭州市拱墅区康桥镇康政路30号5幢 | ||