控制ZnO纳米柱阵列密度的方法

摘要

本发明涉及一种控制ZnO纳米柱阵列密度的方法，特征是控制复合溶胶体系中锌离子与Mx+离子的浓度比([Zn2+]/[Mx+])，调节复合薄膜中ZnO与MOx的颗粒大小和分布状态，并且利用水溶液法制备ZnO纳米柱阵列时，生长初始阶段ZnO纳米柱晶核对籽晶层中ZnO晶粒的选择性生长来实现对其密度的调节。在所述的方法中，将少量的MOx溶胶与ZnO溶胶混合，搅拌均匀后形成稳定的复合溶胶。然后采用浸渍提拉法将其沉积到基片上，热处理后形成ZnO-MOx复合籽晶层。将ZnO-MOx的复合籽晶层浸入由Zn(NO3)2，NaOH和H2O组成的生长液中，50-90℃下生长0.5-5h后，在籽晶层上形成具有一定密度的ZnO阵列。控制MOx溶胶的加入量，调节ZnO阵列的密度。

主权项

控制ZnO纳米柱阵列密度的方法，其特征在于通过控制ZnO‑MOx复合溶胶体系中锌离子与Mx+离子的浓度比[Zn2+]/[Mx+]，[Zn2+]/[Mx+]≥0.2，调节ZnO‑MOx复合薄膜中ZnO与MOx的颗粒大小和分布状态，并且利用水溶液法制备ZnO纳米柱阵列时，生长初始阶段ZnO纳米柱晶核对籽晶层中ZnO晶粒的选择性生长来实现对其密度的调节，具体步骤是：①将少量的MOx溶胶与ZnO溶胶混合，搅拌均匀后形成稳定的复合溶胶；②然后采用浸渍提拉法将其沉积到基片上，热处理后形成ZnO‑MOx复合籽晶层；③将ZnO‑MOx的复合籽晶层浸入由Zn(NO3)2，NaOH和H2O组成的生长液中，50‑90℃下生长后，在籽晶层上形成具有一定密度的ZnO陈列，通过控制MOx溶胶的加入量，调节ZnO阵列的密度；所述Mx+为二价、三价或四价的阳离子。