| 发明名称 | 集成电路钝化层的制造方法及结构 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种集成电路钝化层的制造方法，其中，在包含有大量半导体器件的硅片上覆盖一钝化层；之后在钝化层中进行离子注入，以在钝化层中形成一层非晶层。本发明集成电路钝化层的制造方法及结构解决了现有技术中芯片良品率低的问题，通过离子注入将生长的二氧化硅层部分非晶化，使得一次性形成多层钝化层，从而阻断了水气等的通过路径，进而提升了产品的良率。 | ||
| 申请公布号 | CN102412165A | 申请公布日期 | 2012.04.11 |
| 申请号 | CN201110123638.0 | 申请日期 | 2011.05.13 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 周军;傅昶 |
| 分类号 | H01L21/56(2006.01)I;H01L21/314(2006.01)I;H01L23/28(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/56(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人 | 王敏杰 |
| 主权项 | 一种集成电路钝化层的制造方法，其特征在于，在包含有大量半导体器件的硅片上覆盖一钝化层；之后在钝化层中进行离子注入，以在钝化层中形成一层非晶层。 | ||
| 地址 | 201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 | ||