一种光刻机曝光方法

摘要

本发明公开了一种光刻机曝光方法，包括在光刻机连续工作的过程中执行的如下步骤：步骤101、当具有第一温度的硅片被传送至具有第二温度的硅片载片台之后，将所述硅片在所述硅片载片台上静置预设时间，使得所述硅片与所述硅片载片台之间的温度相同；步骤102、在所述硅片形变完成后，开启真空设备使得所述硅片载片台吸住所述硅片；步骤103、进行对准和曝光操作。本发明提供的方法能够提高工艺套准精度，在光刻机的连续工作过程中实现了高度的硅片与硅片、批次与批次之间的均匀性，并且能够提高设备利用率。

主权项

一种光刻机曝光方法，包括在光刻机连续工作的过程中执行的如下步骤：步骤101、当具有第一温度的硅片被传送至具有第二温度的硅片载片台之后，将所述硅片在所述硅片载片台上静置预设时间，使得所述硅片与所述硅片载片台之间的温度相同；步骤102、在所述硅片形变完成后，开启真空设备使得所述硅片载片台吸住所述硅片；步骤103、进行对准和曝光操作。