| 发明名称 | 薄膜形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种薄膜形成方法，包括：提供晶片和薄膜形成设备，所述薄膜形成设备用于在所述晶片上形成具有目标厚度的薄膜；将所述薄膜分为至少2个子薄膜，所述子薄膜的数目为偶数；利用所述薄膜形成设备在所述晶片上形成第一子薄膜；利用所述薄膜形成设备在所述第一子薄膜上形成第二子薄膜，所述第二子薄膜的形貌与第一子薄膜的形貌相匹配；利用所述薄膜形成设备在所述第二子薄膜上形成第三子薄膜；利用所述薄膜形成设备在所述第三子薄膜上形成第四子薄膜，所述第三子薄膜和第四子薄膜的形貌相匹配；依次类推，直至形成目标厚度的薄膜。本发明形成的薄膜厚度均匀。 | ||
| 申请公布号 | CN102412117A | 申请公布日期 | 2012.04.11 |
| 申请号 | CN201010292495.1 | 申请日期 | 2010.09.19 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 何有丰;胡亚兰;何永根 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种薄膜形成方法，其特征在于，包括：提供晶片和薄膜形成设备，所述薄膜形成设备用于在所述晶片上形成具有目标厚度的薄膜；将所述薄膜分为至少4个子薄膜，且所述子薄膜的数目为偶数；利用所述薄膜形成设备在所述晶片上形成第一子薄膜；利用所述薄膜形成设备在所述第一子薄膜上形成第二子薄膜，所述第二子薄膜的形貌与第一子薄膜的形貌相匹配；利用所述薄膜形成设备在所述第二子薄膜上形成第三子薄膜；利用所述薄膜形成设备在所述第三子薄膜上形成第四子薄膜，所述第三子薄膜和第四子薄膜的形貌相匹配；依次类推，直至形成目标厚度的薄膜。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||