| 发明名称 | IGBT结构及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种IGBT结构，该IGBT结构中的集电极区域和基区之间的PN结界面为类波浪形界面。这种结构增大了PN结界面的实际面积，将有效提高IGBT集电极端的单位硅片面积发射效率，提高了器件的导电能力。本发明还公开了一种IGBT结构的制备方法。 | ||
| 申请公布号 | CN102412270A | 申请公布日期 | 2012.04.11 |
| 申请号 | CN201110183372.9 | 申请日期 | 2011.07.01 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 张帅;刘坤 |
| 分类号 | H01L29/36(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/36(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 一种IGBT结构，其特征在于：所述IGBT结构的集电极区域和基区之间的PN结界面为类波浪形界面。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||