| 发明名称 | 半导体装置及功率半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供半导体装置及功率半导体装置，该半导体装置包括：基台；半导体元件，安装在所述基台上；电极端子，与基台相隔开地设置；连接构件，将半导体元件与电极端子连接；及接合件。连接构件中，在与半导体元件连接的一端部设置着多个贯通孔。另外，接合件介于半导体元件与连接构件之间，并且进入至多个贯通孔内。 | ||
| 申请公布号 | CN102412218A | 申请公布日期 | 2012.04.11 |
| 申请号 | CN201110278583.0 | 申请日期 | 2011.09.19 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 齐藤泰仁;志村昌洋 |
| 分类号 | H01L23/48(2006.01)I;H01L23/495(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/48(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 王成坤;胡建新 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其特征在于，包括：基台；半导体元件，安装在所述基台上；电极端子，与所述基台相隔开地设置；连接构件，将所述半导体元件与所述电极端子连接，且在与所述半导体元件连接的一端部设置着多个贯通孔；及接合件，介于所述半导体元件与所述连接构件之间，并且进入至所述多个贯通孔内。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||