| 发明名称 | 不连续薄半导体晶片表面特征 | ||
| 摘要 | 半导体晶片具有半导体衬底和所述衬底上的膜。所述衬底和/或所述膜具有形成不连续表面的至少一条蚀刻线，所述不连续表面减小所述晶片中的残余应力。当所述晶片较薄时，减小所述半导体晶片中的残余应力减少了所述晶片的翘曲。另外，可使用隔离插塞来填充所述蚀刻线的一部分，以防止层的短接。 | ||
| 申请公布号 | CN102414802A | 申请公布日期 | 2012.04.11 |
| 申请号 | CN201080019777.2 | 申请日期 | 2010.05.07 |
| 申请人 | 高通股份有限公司 | 发明人 | 阿尔温德·钱德拉舍卡朗 |
| 分类号 | H01L21/302(2006.01)I;H01L21/304(2006.01)I;H01L23/00(2006.01)I;H01L21/98(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/302(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 宋献涛 |
| 主权项 | 一种半导体晶片，其包含：半导体衬底，其具有前侧和背侧；以及膜层，其位于所述半导体衬底的所述前侧上；其中所述膜层和所述半导体衬底中的至少一者具有包含至少一条蚀刻线的第一不连续表面，所述第一不连续表面减小所述半导体晶片中的残余应力。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||