结合超级结双面沟槽型IGBT器件制造方法

摘要

本发明公开了一种结合超级结双面沟槽型IGBT器件制造方法，包括以下步骤：在N型衬底上，硅片正面曝光图形，进行P柱的刻蚀，进行刻蚀形成槽；对孔或槽成长高掺杂B的外延；进行外延的研磨，研磨至单晶硅的表面；进行沟槽栅的曝光定义；成长掺杂N型多晶；对多晶栅进行刻蚀；正面进行源和P阱的注入和推阱；背面进行深沟槽的刻蚀，沟槽的宽度小于沟槽内磷离子扩散的长度；然后进行N型多晶硅的填充，进行高温长时间推阱，使得多晶之间N型载流子连接在一起；然后对背面进行注入硼离子，并进行激活；进行集电极的蒸金。本发明通过P柱和N型衬底的耗尽达到耐压和进一步降低比导通电阻的效果，使得电流密度更大，减小了通态时的电阻和焦耳热，使得关断响应速度更快。

主权项

一种结合超级结双面沟槽型IGBT器件制造方法，其特征在于，包括以下步骤：在N型衬底上，硅片正面曝光图形，进行P柱的刻蚀，进行刻蚀形成槽；对孔或槽成长高掺杂B的外延；进行外延的研磨，研磨至单晶硅的表面；进行沟槽栅的曝光定义；成长掺杂N型多晶；对多晶栅进行刻蚀；正面进行源和P阱的注入和推阱；背面进行深沟槽的刻蚀，沟槽的宽度小于沟槽内磷离子扩散的长度；然后进行N型多晶硅的填充，进行高温长时间推阱，使得多晶之间N型载流子连接在一起；然后对背面进行注入硼离子，并进行激活；进行集电极的蒸金。