| 发明名称 | 一种钇铝石榴石单晶的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种钇铝石榴石单晶的制备方法，包括以下步骤：1)在钇铝石榴石粉料中加入正硅酸乙酯和/或氧化镁，再加入无水乙醇，混合后，再依次进行干燥、煅烧、真空热压处理，得到钇铝石榴石陶瓷；2）将步骤1）中得到的钇铝石榴石陶瓷进行单面抛光，得到单面抛光的钇铝石榴石陶瓷，然后与单面抛光的钇铝石榴石单晶进行光胶处理，然后再进行热等静压处理，即得到所述钇铝石榴石单晶。利用本发明的制备方法，可以制备出Nd掺杂浓度高达10at%的单晶，可以在较低（1550～1750℃）的温度下，制备YAG单晶。 | ||
| 申请公布号 | CN102409391A | 申请公布日期 | 2012.04.11 |
| 申请号 | CN201110394948.6 | 申请日期 | 2011.12.02 |
| 申请人 | 北京中材人工晶体研究院有限公司 | 发明人 | 王海丽;沈德忠;黄存新;陈建荣;张书峰;王震 |
| 分类号 | C30B1/12(2006.01)I;C30B29/28(2006.01)I | 主分类号 | C30B1/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人 | 杨立 |
| 主权项 | 一种钇铝石榴石单晶的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1)在钇铝石榴石粉料中加入正硅酸乙酯和/或氧化镁，再加入无水乙醇，混合后，再依次进行干燥、煅烧、真空热压处理，得到钇铝石榴石陶瓷，其中，所述正硅酸乙酯的重量为所述钇铝石榴石粉料重量的0～0.5%，所述氧化镁的重量为钇铝石榴石粉料重量的0～0.5%，所述无水乙醇的重量为钇铝石榴石粉料重量的0.5～2%；2）将步骤1）中得到的钇铝石榴石陶瓷进行单面抛光，得到单面抛光的钇铝石榴石陶瓷，然后与单面抛光的钇铝石榴石单晶进行光胶处理，然后再进行热等静压处理，即得到所述钇铝石榴石单晶。 | ||
| 地址 | 100018 北京市朝阳区东坝红松园一号院 | ||