发明名称 | 如用于质量感测的单块FBAR-CMOS结构 | ||
摘要 | 本发明提供了一种设备,包括薄膜体声波谐振器,该薄膜体声波谐振器如包括声反射镜、在声学上连接至声反射镜的压电区域、电连接至压电区域的第一导体和第二导体。在一种实施例中,集成电路衬底可以包括连接至谐振器的第一导体和第二导体的接口电路,该集成电路衬底构造为机械地支撑谐振器。一种实施例可以包括这种谐振器的阵列,其与接口电路共同集成在一起并构造为检测与指定蛋白结合、指定抗体-抗原耦合、DNA低聚体的指定杂化或指定气体分子的吸附中的一个或多个相关联的质量变化。 | ||
申请公布号 | CN102414855A | 申请公布日期 | 2012.04.11 |
申请号 | CN201080018971.9 | 申请日期 | 2010.04.29 |
申请人 | 纽约市哥伦比亚大学信托人 | 发明人 | 马修·约翰斯顿;肯尼斯·谢巴德;阿尼斯·卡米斯 |
分类号 | H01L47/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L47/00(2006.01)I |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 孙纪泉 |
主权项 | 一种设备,包括:薄膜体声波谐振器,包括:声反射镜;压电区域,在声学上连接至声反射镜;第一导体,电连接至压电区域;和第二导体,电连接至压电区域并与第一导体电绝缘;集成电路衬底,包括接口电路,所述第一导体和第二导体电连接至接口电路;其中集成电路衬底构造为机械地支撑谐振器;并且其中声反射镜构造为抑制或阻止声能以薄膜体声波谐振器的谐振频率或附近的频率从压电区域耦合到集成电路衬底中。 | ||
地址 | 美国纽约市 |