发明名称 半导体器件、半导体器件的制造方法及半导体器件的制造装置
摘要 本发明提供一种半导体器件、半导体器件的制造方法及半导体器件的制造装置。本发明通过采用如下结构,即对在激光照射方向以外的3个方向上形成有框体(30)侧面的封装体(24),安装覆盖激光照射方向及封装体(24)上表面且在激光照射位置形成有玻璃(26)的帽盖(25),可缩短半导体元件(22)与玻璃(26)之间的距离,通过减小玻璃的直径(32),既可维持半导体激光器的特性,又可实现薄型的半导体器件。另外,通过搭载该半导体器件还可使光拾取装置薄型化。
申请公布号 CN101471537B 申请公布日期 2012.04.11
申请号 CN200810174750.5 申请日期 2008.10.27
申请人 松下电器产业株式会社 发明人 早水勋;立柳昌哉
分类号 H01S5/022(2006.01)I 主分类号 H01S5/022(2006.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 马淑香
主权项 一种半导体器件,其特征在于,包括:具有半导体元件的搭载面的封装体;所述封装体的框体,形成所述封装体使得与所述搭载面接触的周围4个面中的1个面及与所述搭载面相对的上表面开口;固定于所述框体的多个引线端子;与所述引线端子电连接且搭载于所述搭载面的半导体元件;帽盖,该帽盖接触与所述搭载面相对的所述框体的上表面以及在与所述搭载面接触的周围4个面中的1个面上形成的开口部分的周围、即所述框体的激光出射方向的表面并进行连接,将所述半导体元件密封在所述封装体内;及透明构件,该透明构件设置于在所述帽盖的所述激光出射方向的面上设置的贯通孔,具有能供所述激光出射的直径,搭载所述半导体元件,使所述半导体元件的激光出射位置靠近所述透明构件。
地址 日本大阪府