用于靠近硅过孔放置晶体管的方法及装置

摘要

本发明涉及表征、考虑或者利用由晶体管附近的TSV所引起的应力的方式。当对电路进行表征时可以将TSV与附近晶体管之间的物理关系考虑在内。为此可以修改在不知晓TSV与附近晶体管之间的物理关系的情况下获得的版图。宏单元可以包括TSV和附近的晶体管这两者，以及将晶体管与TSV之间的物理关系考虑在内的针对宏单元的仿真模型。宏单元可以包括TSV和附近的晶体管这两者，晶体管之一被相对于其他晶体管旋转。IC也可以包括与TSV靠近到使沟道中载流子迁移率改变超过先前所认为的用于限定禁区的限度的晶体管。

主权项

一种用于分析电路的方法，包括如下步骤：提供具有处理器和存储器的计算机系统，所述计算机系统被编程有电路仿真器；向所述电路仿真器提供根据电路设计的多个电路节点和电路器件；以及所述计算机系统电路仿真器根据多个模型参数值来计算所述电路设计的电特性，其中所述电路器件中之一包括放置在距TSV特定距离处的晶体管，并且其中所述计算机系统电路仿真器根据所述特定距离来计算所述电特性。