用于提高半导体器件性能的附加空置有源区填充方法

摘要

本发明公开了一种用于提高半导体器件性能的附加空置有源区填充方法，集成电路板未加工的区域设为浅沟槽区域，其中，用多个附加空置有源区对所述浅沟槽区域进行填充，所述附加空置有源区在集成电路板上的轮廓为方形，所述有源区附加样本的任意一边所在的直线与所述半导体器件的沟道方向所在的直线均呈一定夹角。本发明解决了现有技术中附加空置有源区填充后所产生的压应力对NMOS器件的性能产生负面影响的问题，通过改变附加空置有源区与NMOS器件之间的角度，实现改变NMOS器件所受的压应力的情况，从而达到提高NMOS器件性能的目的。

主权项

一种用于提高半导体器件性能的附加空置有源区填充方法，包括，一集成电路板上设有多个半导体器件，半导体器件中包括一种第一晶体管，将所述集成电路板未加工半导体器件的空余区域设为浅沟槽区域，其特征在于，用多个附加空置有源区对所述浅沟槽区域进行部分填充，所述附加空置有源区在集成电路板上的轮廓为方形，所述附加空置有源区的任意一边所在的直线与所述半导体器件的沟道方向所在的直线均呈夹角。