| 发明名称 | 用于LED制造的改良多腔室分离处理 | ||
| 摘要 | 本文所述实施例大致关于藉由金属-有机化学气相沉积(MOCVD)处理与/或氢化物气相磊晶(HVPE)处理形成III-V族材料的方法。一实施例中，在第一腔室中于基板上执行III1族-N层的沉积，在第二腔室中于基板执行III2族-N层的沉积，并在与沉积III2族-N层的腔室不同的腔室中于基板上执行III3族-N层的沉积。在III2族-N层沉积与III3族-N层沉积之间，于基板上执行一或多个表面处理以降低界面处的非辐射复合并改善生成结构的整体电致发光。 | ||
| 申请公布号 | CN102414846A | 申请公布日期 | 2012.04.11 |
| 申请号 | CN201080019538.7 | 申请日期 | 2010.10.04 |
| 申请人 | 应用材料公司 | 发明人 | 苏杰 |
| 分类号 | H01L33/02(2006.01)I;H01L33/30(2006.01)I;H01L33/32(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 陆嘉;张欣 |
| 主权项 | 一种制造化合氮化物半导体结构的方法，包括下列步骤：将第一III族前驱物与第一含氮前驱物流入第一处理腔室，以在配置于一或多个基板上的现有层上沉积第一层；在不暴露该一或多个基板于大气的情况下，将所述一或多个基板传送进入第二基板处理腔室；在所述一或多个基板上执行表面处理以移除所述第一层的一部分；及将第二III族前驱物与第二含氮前驱物流入所述第二处理腔室以在所述第一层上沉积第二层。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||