逆导型绝缘栅双极晶体管

摘要

本发明提供逆导型绝缘栅双极晶体管。根据一个实施方式，在逆导型绝缘栅双极晶体管中，缓冲层设于第二基底层的背面，杂质浓度比第二基底层高。第一集电极层与缓冲层的背面的一部分相接，杂质浓度比第二基底层高。第二集电极层与缓冲层的背面的一部分相接，包围第一集电极层地设置，杂质浓度比第一基底层高。第三集电极层与缓冲层的背面的一部分相接，包围第二集电极层地设置，杂质浓度比第二集电极层低。

主权项

一种逆导型绝缘栅双极晶体管，其特征在于，具备：第二导电型的第二基底层，设于与第一导电型的第一基底层的第一主面相对置的第二主面；第二导电型的缓冲层，设于上述第二基底层的与相接于上述第一基底层的第一主面相对置的第二主面，杂质浓度比上述第二基底层高；第二导电型的第一集电极层，与上述缓冲层的与相接于上述第二基底层的第一主面相对置的第二主面的一部分相接，杂质浓度比上述第二基底层高；第一导电型的第二集电极层，与上述缓冲层的第二主面的一部分相接并包围上述第一集电极层地设置，杂质浓度比上述第一基底层高；第一导电型的第三集电极层，与上述缓冲层的第二主面的一部分相接并包围上述第二集电极层地设置，杂质浓度比上述第二集电极层低；以及集电极，与上述第一集电极层至第三集电极层的与相接于上述缓冲层的第一主面相对置的第二主面连接。