一种半导体封装在塑封前的表面纳米膜处理方法

摘要

本发明公开了一种半导体封装在塑封前的表面纳米膜处理方法，其特征在于包括以下步骤，步骤a：对待处理材料表面均匀施用少量助粘剂溶液，使之附着在需要加强的表面；步骤b：助粘剂溶液中的溶剂常温挥发风干，或者通过烘烤的方式烘干，挥发后的助粘剂活性成分涂层厚度控制在纳米级厚度，助粘剂活性成分涂层和待处理材料需加强的表面形成化学键合；步骤c：进行后道塑封工序，已经与待处理材料表面形成化学键合的纳米级厚度的助粘剂活性成分另一侧的官能团与塑封过程中使用的环氧树脂形成化学键合。其能够一定程度上提高芯片封装中多个关键界面的结合强度，防止工艺过程中分层、开裂；降低潮气等级数。

主权项

一种半导体封装在塑封前的表面纳米膜处理方法，其特征在于包括以下步骤，步骤a：对待处理材料表面均匀施用少量助粘剂溶液，使之附着在需要加强的表面；步骤b：助粘剂溶液中的溶剂常温挥发风干，或者通过烘烤的方式烘干，挥发后的助粘剂活性成分涂层厚度控制在纳米级厚度，助粘剂活性成分涂层和待处理材料需加强的表面形成化学键合；步骤c：进行后道塑封工序，已经与待处理材料表面形成化学键合的纳米级厚度的助粘剂活性成分另一侧的官能团与塑封过程中使用的环氧树脂形成化学键合。