半导体元件及其制作方法

摘要

本发明披露了一种具有金属栅极晶体管与多晶硅电阻结构的半导体元件及其制作方法。根据该方法，首先提供一基底，且该基底上定义有一晶体管区以及一电阻区。然后形成一多晶硅层于该基底上并覆盖该晶体管区及该电阻区。接着去除电阻区的部分多晶硅层，并图案化该多晶硅层，使该电阻区的该多晶硅层表面与该晶体管区的该多晶硅层表面之间具有一高低差。随后形成至少一个多晶硅栅极在晶体管区以及一多晶硅电阻在电阻区，并将多晶硅栅极转换成金属栅极晶体管。

主权项

一种制作具有金属栅极晶体管与多晶硅电阻结构的半导体元件的方法，包含有下列步骤：提供一基底，该基底上定义有一晶体管区以及一电阻区；形成一多晶硅层于该基底上并覆盖该晶体管区及该电阻区；去除该电阻区的部分该多晶硅层；图案化该多晶硅层，并使该电阻区的该多晶硅层的厚度小于该晶体管区的该多晶硅层的厚度而形成一厚度差形成至少一个多晶硅栅极于该晶体管区以及一多晶硅电阻于该电阻区；以及去除该多晶硅栅极并填入金属层，以将该多晶硅栅极转换成金属栅极。