发明名称 Leistungshalbleitermodul mit einem Grundmodul und einem Verbindungsmodul
摘要 <p>Die Anmeldung betrifft ein Leistungshalbleitermodul mit einem elektrisch isolierenden Gehäuse, einem Grundmodul und einem Verbindungsmodul und ein zugeordnetes Verfahren zur dessen Herstellung, gekennzeichnet durch die folgenden Verfahrensschritte. Ausbilden von Halbleiterbaugruppen jeweils mit einem ersten Leitungselement mindestens einem hierauf angeordneten Leistungshalbleiterbauelement sowie einer ersten Kontakteinrichtung in elektrisch leitendem Kontakt zu dem ersten Leitungselement und einer zweiten Kontakteinrichtung in elektrisch leitendem Kontakt zu dem mindestens einen Leistungshalbleiterbauelement. Ausbilden des Grundmoduls durch elektrisch isoliertes Anordnen, mittels mindestens einer Isolationseinrichtung, der Halbleiterbaugruppen auf einer Grundplatte. Ausbilden des Verbindungsmoduls mit einem Isolierstoffformkörper und mindestens einer Verbindungseinrichtung. Anordnen des Verbindungsmoduls zum Grundmodul unter Ausbildung mindestens einer internen elektrisch leitenden Verbindung mittels einer Verbindungseinrichtung zwischen einer Kontakteinrichtung einer Halbleiterbaugruppe mit einer Kontakteinrichtung einer weiteren Halbleiterbaugruppe.</p>
申请公布号 DE102010041849(A1) 申请公布日期 2012.04.05
申请号 DE20101041849 申请日期 2010.10.01
申请人 SEMIKRON ELEKTRONIK GMBH &amp, CO. KG 发明人 GOEBL, CHRISTIAN;STOCKMEIER, THOMAS, DR.;KRONEDER, CHRISTIAN
分类号 H01L23/049;H01L25/18 主分类号 H01L23/049
代理机构 代理人
主权项
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