Magnet-Speichervorrichtungen mit wahlfreiem Zugriff, die wärmeerzeugende Schichten enthalten und darauf bezogene Verfahren zum Programmieren

摘要

Magnet-Speichervorrichtung mit wahlfreiem Zugriff, die aufweist: eine erste Elektrode (71d', 71d'') auf einem Substrat (51); ein Magnet-Tunnelübergangs-Element (86a, 86b), welches eine freie Schicht (79a, 79b), eine Tunnelisolierschicht (81a, 81b) und eine fixierte Schicht (83a, 83b) aufweist, wobei die Tunnelisolierschicht (81a, 81b) zwischen der freien Schicht (79a, 79b) und der fixierten Schicht (83a, 83b) angeordnet ist, und wobei das Magnet-Tunnelübergangs-Element (86a, 86b) elektrisch mit der ersten Elektrode (71d', 71d'') verbunden ist; eine zweite Elektrode (91), die mit der ersten Elektrode (71d', 71d'') über das Magnet-Tunnelübergangs-Element (86a, 86b) verbunden ist; und eine wärmeerzeugende Schicht (77a, 77b) zum Erwärmen der freien Schicht (79a, 79b), wobei die wärmeerzeugende Schicht (77a, 77b) und das Magnet-Tunnelübergangs-Element (86a, 86b) elektrisch zwischen der ersten (71d', 71d'') und der zweiten Elektrode (91) direkt in Reihe geschaltet sind, wobei die wärmeerzeugende Schicht (77a, 77b) eine Schicht aus einem elektrisch isolierendem Material mit einer Schichtdicke von weniger...