Verfahren zur Herstellung eines selbstjustierenden Transistors mit Mehrfachgate auf einem Vollsubstrat

摘要

Verfahren mit: Bilden einer ersten Maskenschicht über einer Halbleiterschicht eines Halbleiterbauelements, wobei die Maskenschicht eine Gateöffnung aufweist, die eine laterale Größe und Lage einer Gateelektrode festlegt; Bilden einer zweiten Maskenschicht in der Gateöffnung, wobei die zweite Maskenschicht mehrere Maskenstrukturelemente aufweist, die eine laterale Größe und Lage mehrerer Stege festlegen, die in der Halbleiterschicht zu bilden sind; Ausführen eines Ätzprozesses unter Anwendung der ersten und der zweiten Maskenschicht, um die Stege in einem Teil der Halbleiterschicht zu erzeugen; Bilden eines dielektrischen Materials in der Gateöffnung nach dem Erzeugen der mehreren Stege, um eine elektrisch wirksame Höhe der mehreren Stege einzustellen; und Bilden einer Gateelektrodenstruktur in der Gateöffnung nach dem Entfernen der zweiten Maskenschicht, wobei die Gateelektrodenstruktur die Gateelektrode aufweist und in Verbindung mit den mehreren Stegen steht.