Durchlassstromeinstellung für Transistoren, die im gleichen aktiven Gebiet hergestellt sind, durch lokales Vorsehen eines eingebetteten verformungsinduzierenden Halbleitermaterials in dem aktiven Gebiet

摘要

Verfahren mit: Bilden eines ersten Transistors in und über einem aktiven Gebiet, das über einem Substrat eines Halbleiterbauelements ausgebildet ist und einen zusammenhängenden Halbleiterbereich ohne eine dazwischen liegende Isolationsstruktur repräsentiert, wobei der erste Transistor eine erste Leitfähigkeitsart besitzt; Bilden eines zweiten Transistors in und über dem aktiven Gebiet, wobei der zweite Transistor die erste Leitfähigkeitsart besitzt; Einstellen eines Verhältnisses der Durchlassströme des ersten und des zweiten Transistors durch Vorsehen einer eingebetteten Halbleiterlegierung in dem ersten und dem zweiten Transistor und durch Relaxieren der Halbleiterlegierung selektiv in dem zweiten Transistor, um unterschiedliche Verformungspegel in einem ersten Kanalgebiet des ersten Transistors und einem zweiten Kanalgebiet des zweiten Transistors hervorzurufen.