Verfahren zum Herstellen eines Trench-Transistors und Trench-Transistor

摘要

Verfahren zum Herstellen eines Trench-Transistors mit den Schritten: – Bereitstellen eines Halbleitersubstrats (12); – Ausbilden einer Grabenstruktur (3) im Halbleitersubstrat (12) von einer Oberfläche (13) des Halbleitersubstrats (12) aus; – Ausbilden einer die Oberfläche (13) und Innenwände der Grabenstruktur (3) bedeckenden Feldisolationsstruktur (7); – Strukturieren der Feldisolationsstruktur (7); – Ausbilden einer Sourcestruktur (8) von einem ersten Leitfähigkeitstyp durch Einbringen von Dotierstoffen in das Halbleitersubstrat (12) unter Verwendung der Feldisolationsstruktur (7) als Maske, so dass die die Sourcestruktur (8) definierenden Dotierstoffe in solche Bereiche des Halbleitersubstrats (12) eingebracht werden, die nicht von der Feldisolationsstruktur (7) bedeckt sind; – Ausbilden einer Gateisolationsstruktur (6), einer Bodystruktur (9) von einem zum ersten Leitfähigkeitstyp entgegengesetzten zweiten Leitfähigkeitstyp, einer Drainstruktur vom ersten Leitfähigkeitstyp und wenigstens einer leitfähigen Struktur (10, 14), die wenigstens teilweise innerhalb der Grabenstruktur (3) ausgebildet ist; wobei die Gateisolationsstruktur (6) im Seitenwandbereich der Grabenstruktur (3) an einem...