浅沟槽隔离结构的制作方法

摘要

本发明揭示一种浅沟槽隔离结构的制作方法，在对所述浅沟槽隔离结构的绝缘层施行化学机械抛光过程之后和在去除氮化物层和氧化物层过程之前，增加高温氧化处理过程，即向所述沟槽所在的环境通入氧化气体，并在800～1100℃的环境下进行高温氧化。本发明的制作方法增加了所述沟槽两侧顶角处隧道氧化层的厚度，防止所述沟槽两侧顶角发生尖端放电，减小了漏电电流，从而提高了器件的性能。

主权项

一种浅沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，包括下列步骤：提供一半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有氧化物层和氮化物层；依次刻蚀所述氮化物层、氧化物层和半导体衬底，形成沟槽；在所述沟槽的内壁表面形成隧道氧化层；向所述沟槽内以及氮化物层上沉积绝缘层，所述绝缘层填满所述沟槽；对所述绝缘层施行化学机械抛光，以暴露出所述氮化物层；进行高温氧化处理过程，向所述沟槽所在的环境通入氧化气体，以增加所述沟槽两侧顶角处隧道氧化层的厚度；依次去除氮化物层和氧化物层。