| 发明名称 | 一种增强共晶强化的Cu-Ag合金及其制备方法 | ||
| 摘要 | 一种增强共晶强化的Cu-Ag合金制备方法，其中Ag含量按重量百分比为15%～30%，余量为Cu。该方法采用磁场下定向凝固控制Cu-Ag合金凝固过程晶体的分布、体积分数等，增强共晶强化作用，获得低形变下的高强度Cu-Ag合金。通过实施以上发明内容，制备的Cu-Ag合金导电率为75～85%IACS、抗拉强度为750～1050MPa，比现有技术制备的相同Ag含量Cu-Ag合金在相同减面率时的强度提高5～10%。 | ||
| 申请公布号 | CN102400007A | 申请公布日期 | 2012.04.04 |
| 申请号 | CN201110385776.6 | 申请日期 | 2011.11.29 |
| 申请人 | 东北大学 | 发明人 | 王恩刚;左小伟;张林;李贵茂;赵聪聪;赫冀成 |
| 分类号 | C22C9/00(2006.01)I;C22C1/02(2006.01)I;C22F1/08(2006.01)I;C22F3/02(2006.01)I | 主分类号 | C22C9/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 沈阳东大专利代理有限公司 21109 | 代理人 | 李在川 |
| 主权项 | 一种增强共晶强化的Cu‑Ag合金，其特征在于，合金中Ag含量按重量百分比为15%～30%，余量为Cu，其导电率为75～85%IACS、抗拉强度为750～1050 MPa。 | ||
| 地址 | 110819 辽宁省沈阳市和平区文化路3号巷11号 | ||