| 发明名称 | 基板处理装置和方法 | ||
| 摘要 | 公开了一种基板处理装置和方法。该基板处理装置包括：提供内部空间的处理腔(10)，其中，对基板执行处理；支承件(30)，其安装在所述处理腔(10)中，以支承所述基板；以及喷头(20)，其位于所述支承件(30)上方，以向所述支承件(30)提供源气体，其中，所述喷头(20)包括：第一喷射面(24)，其位于与基板的上表面间隔第一距离的位置处，并设置有喷射所述源气体的第一喷射孔(24a)的出口；以及第二喷射面(26)，其位于与的基板的上表面间隔不同于所述第一距离的第二距离的位置处，并设置有喷射所述源气体的第二喷射孔(26a)的出口。 | ||
| 申请公布号 | CN101978471B | 申请公布日期 | 2012.04.04 |
| 申请号 | CN200980110322.9 | 申请日期 | 2009.03.27 |
| 申请人 | 株式会社EUGENE科技 | 发明人 | 诸成泰;梁日光;朴灿用 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 李辉;吕俊刚 |
| 主权项 | 一种基板处理装置，该基板处理装置包括：提供对基板进行处理的内部空间的处理腔；安装在该处理腔中用于支承该基板的支承件；以及位于该支承件上方用于朝该支承件供应源气体的喷头，其中，该喷头包括：第一喷射面，其位于与放置在该支承件上的基板的上表面间隔开第一距离的位置处，并设置有用于喷射该源气体的第一喷射孔的出口；以及第二喷射面，其位于与放置在该支承件上的基板的上表面间隔开不同于第一距离的第二距离的位置处，并设置有用于喷射该源气体的第二喷射孔的出口。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||