发明名称 发光二极管元件
摘要 本发明涉及一种发光二级管元件,包括:陶瓷基片;第一导电金属薄膜,位于所述陶瓷基片的上表面;第二导电金属薄膜,位于所述陶瓷基片的上表面,与所述第一导电金属薄膜绝缘;一个或一个以上发光二级管芯片,发光二级管芯片的P极通过第一导电部件连接到陶瓷材料上表面上的第一导电金属薄膜上,发光二级管芯片的N极通过第二导电部件连接到陶瓷基片上表面上的第二导电金属薄膜上;第一导电金属层,位于所述陶瓷基片的表面,通过陶瓷基片内的第一导电金属与第一导电薄膜相连接;第二导电金属层,位于陶瓷基片的表面,通过陶瓷基片内的第二导电金属与第二导电薄膜相连接。因此本发明的LED元件具有良好的散热性、可靠性并且制造过程简单,成本低。
申请公布号 CN101192637B 申请公布日期 2012.04.04
申请号 CN200610140329.3 申请日期 2006.11.27
申请人 山西乐百利特科技有限责任公司;晋城市环球利特光电技术有限公司;杰西科技股份有限公司 发明人 伍永安;闫向阳
分类号 H01L33/00(2006.01)I;H01L25/00(2006.01)I;H01L25/075(2006.01)I;H01L23/498(2006.01)I;H01L23/36(2006.01)I 主分类号 H01L33/00(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种发光二极管元件,其特征在于包括:陶瓷基片;第一导电金属薄膜,位于所述陶瓷基片的上表面;第二导电金属薄膜,位于所述陶瓷基片的上表面,与所述第一导电金属薄膜绝缘;一个或一个以上发光二极管芯片,发光二极管芯片的P极通过第一导电部件连接到陶瓷基片上表面上的第一导电金属薄膜上,发光二极管芯片的N极通过第二导电部件连接到陶瓷基片上表面上的第二导电金属薄膜上;第一导电金属层,位于所述陶瓷基片的表面,通过陶瓷基片内的第一导电金属与第一导电薄膜相连接;第二导电金属层,位于所述陶瓷基片的表面,通过陶瓷基片内的第二导电金属与第二导电薄膜相连接;第三导电金属层,位于所述陶瓷基片的下表面,且与第一导电金属层和第二导电金属层电绝缘;光提取部,罩在所述发光二极管芯片、第一导电金属薄膜和第二导电金属薄膜外侧;透镜,罩在所述光提取部外侧,其中所述陶瓷基片上加装有一材料,所述材料为陶瓷碳素纤维,所述陶瓷基片上加装的所述材料的内壁倾斜;所述陶瓷基片为多层结构,并包括形成有凸起以固定所述透镜的位置的层;所述第一导电金属层与第二导电金属层位于所述陶瓷基片的上表面。
地址 048000 山西省晋城市兰花路1818号