发明名称 |
一种半导体器件结构的制作方法 |
摘要 |
本发明涉及一种半导体器件结构的制作方法,其特征在于包括,提供衬底,在所述衬底上形成牺牲层;在所述牺牲层上形成带有开口图案的光刻胶层,以所述光刻胶层为掩膜对所述牺牲层刻蚀,以在所述牺牲层中形成开口;在所述开口内侧形成侧壁,所述侧壁的高度等于或者低于所述牺牲层的高度;执行离子注入工艺,以在所述衬底中形成沟道;和去除所述侧壁,在所述开口内形成栅极,并在所述沟道两侧形成源极和漏极。根据本发明的方法形成的沟道中的离子浓度呈不均匀分布,大于三分之一沟道宽度的中心区的离子浓度最高,同时沟道边缘区的离子浓度较低。这种离子浓度分布不均匀的沟道既可以有效抑制半导体器件中GIDL电流的产生,又可以改善短沟道效应。 |
申请公布号 |
CN102403230A |
申请公布日期 |
2012.04.04 |
申请号 |
CN201010288132.0 |
申请日期 |
2010.09.17 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
刘金华 |
分类号 |
H01L21/336(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01)I |
代理机构 |
北京市磐华律师事务所 11336 |
代理人 |
董巍;徐丁峰 |
主权项 |
一种半导体器件结构的制作方法,其特征在于包括:提供衬底,在所述衬底上形成牺牲层;在所述牺牲层上形成带有开口图案的光刻胶层,以所述光刻胶层为掩膜对所述牺牲层刻蚀,以在所述牺牲层中形成开口;在所述开口内侧形成侧壁,所述侧壁的高度等于或者低于所述牺牲层的高度;执行离子注入工艺,以在所述衬底中形成沟道;和去除所述侧壁,在所述开口内形成栅极,并在所述沟道两侧形成源极和漏极。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |