发明名称 基于MOSFET的自激式Sepic变换器
摘要 一种基于MOSFET的自激式Sepic变换器,包括由输入电容Ci、电感L1、N型MOSFET M1、电容C、电感L2、二极管D和电容Co组成的Sepic变换器主回路,该自激式Sepic变换器还包括辅助电源U1,采用的单MOSFET基本自激单元电路由N型MOSFET M1、二极管D1、二极管D2、电阻R1、电阻R2、电容C1、滞环比较器U3和驱动电路U2组成。本发明提供一种效率较高、适用功率范围较宽的基于MOSFET的自激式Sepic变换器。
申请公布号 CN102403895A 申请公布日期 2012.04.04
申请号 CN201110374607.2 申请日期 2011.11.22
申请人 浙江工业大学 发明人 陈怡;南余荣
分类号 H02M3/156(2006.01)I;H02M1/36(2007.01)I 主分类号 H02M3/156(2006.01)I
代理机构 杭州天正专利事务所有限公司 33201 代理人 王兵;王利强
主权项 一种基于MOSFET的自激式Sepic变换器,其特征在于:包括由输入电容Ci、电感L1、N型MOSFET M1、电容C、电感L2、二极管D和电容Co组成的Sepic变换器主回路,输入电容Ci与直流电压源Vi并联,输出电容Co两端电压为直流输出电压Vo,负载Ro与输出电容Co并联,直流电压源Vi的正端与电感L1的一端相连,电感L1的另一端与N型MOSFET M1的漏极以及电容C的一端相连,N型MOSFET M1的源极与电阻R3的一端相连,电阻R3的另一端与直流电压源Vi的负端以及直流输出电压Vo的负端相连,电容C的另一端与二极管D的阳极以及电感L2的一端相连,电感L2的另一端与直流电压源Vi的负端相连,二极管D的阴极与输出电压Vo的正端相连;所述基于MOSFET的自激式Sepic变换器还包括辅助电源U1、驱动电路U2和滞环比较器U3,辅助电源U1用于提供驱动电路U2和滞环比较器U3工作所需的直流电源电压,对直流输入电压Vi进行升压或降压的变换处理;驱动电路U2的输入端与滞环比较器U3的输出端连接,驱动电路U2的输出端与N型MOSFET M1的门极相连,驱动电路U2为N型MOSFET M1的开通和关断提供驱动;滞环比较器U3的输入端与电容C1、电阻R1和电阻R2的一端相连,电容C1的另一端与直流电压源Vi的负端相连,电阻R1的另一端与二极管D1的阴极相连,电阻R2的另一端与二极管D2的阳极相连,二极管D1的阳极和二极管D2的阴极与N型MOSFET M1的漏极相连。
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