| 发明名称 | 预非晶化注入的高温Ti自对准硅化物工艺 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种预非晶化注入的高温Ti自对准硅化物工艺，其包括如下步骤：a、提供衬底，并在衬底上形成栅极区、源极区及漏极区；b、用注入机对上述衬底对的表面注入所需的非晶化离子，使得上述衬底表面的硅及多晶硅处于非晶化状态；c、对上述非晶化过的衬底表面淀积高温Ti膜；d、对上述衬底进行低温退火，以使上述Ti膜形成C49相的TiSi2膜；e、去除衬底表面未形成TiSi2膜的Ti膜；f、对上述衬底进行高温退火，以使上述TiSi2膜形成稳定C54相的TiSi2膜。本发明降低硅化钛膜的相转移温度，形成表面光滑的均匀的TiSi2膜；在亚微米/深亚微米电路的制造过程中，缓解Ti-Salicide技术的窄线条效应问题；工艺简单，具有很强的操作性。 | ||
| 申请公布号 | CN102403210A | 申请公布日期 | 2012.04.04 |
| 申请号 | CN201110385947.5 | 申请日期 | 2011.11.29 |
| 申请人 | 无锡中微晶园电子有限公司 | 发明人 | 陈海峰;聂圆燕;洪根深;郭晶磊 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/283(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 无锡市大为专利商标事务所 32104 | 代理人 | 曹祖良 |
| 主权项 | 一种预非晶化注入的高温Ti自对准硅化物工艺，其特征是，所述自对准工艺包括如下步骤：（a）、提供衬底，并在衬底上形成栅极区、源极区及漏极区；（b）、用注入机对上述衬底对应形成栅极区、源极区及漏极区的表面注入所需的非晶化离子，使得上述衬底表面的硅及多晶硅处于非晶化状态；（c）、对上述非晶化过的衬底表面淀积高温Ti膜；（d）、对上述衬底进行低温退火，以使上述Ti膜形成C49相的TiSi2膜；（e）、去除衬底表面未形成TiSi2膜的Ti膜；（f）、对上述衬底进行高温退火，以使上述TiSi2膜形成稳定C54相的TiSi2膜。 | ||
| 地址 | 214028 江苏省无锡市新区长江路21号信息产业园A座203室 | ||